ПОЛУЧЕНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ SiC, ЕГО ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ И РАСЧЕТ ИХ ТЕПЛОВЫХ, ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ

Библиографический список

1.Сафаралиев Г.К. Твердые растворы на основе карбида кремния. М., 2011. 296 с.

2.Сафаралиев Г. К., Билалов Б. А., Курбанов М. К. , Алтухов В.И., Санкин А.В. , Касьяненко И.С. Расчет высоты барьера Шоттки на контакте металла с полупроводниковым твердым раствором(SiC)1–x(AlN)x.Микроэлектроника, Элементы интегральных схем, 2015, том 44, № 6, С. 453–458

3.Санкин А.В., Алтухов В.И., Казаров Б.А., Касьяненко И.С., Осмоловский Л.М. Устройство для получения совершенных монокристаллов карбида кремния с дополнительными регулирующими контурами индукционного нагрева. Патент на полезную модель №173041.

4.Б.А. Билалов. Процессы формирования и электрофизические свойства гетероструктур карбида кремния – твердые растворы на основе карбида кремния; докт. дисс. ДГУ, Махачкала, 2001.

5.Г.К. Сафаралиев, Н.И. Каргин, М.К. Курбанов, Б.А. Билалов, Ш.М. Рамазанов, А.С. Гусев. Исследование влияния параметров режимов обработки на высоту потенциального барьера структуры Me/(SiC)1-x (AlN)x// Вестник НИЯУ «МИФИ», 2014, том 3, №1, С.63-67.

6 Карбид кремния. Под ред.

Комментарии к статье

Авторизуйтесь, чтобы прокомментировать статью.