ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ И ВРЕМЯ РЕЛАКСАЦИИ ПРОВОДИМОСТИ В КРЕМНИИ

Показано, что в кремнии вблизи индуцированных высоким давлением фазовых переходов время релаксации проводимости резко возрастает, что свидетельствует о нестабильности кристаллической решетки вблизи структурных переходов.

Библиографический список

    1.Hanfland M., Schwarz U., Syassen K., Takemura K. Crystal Structure of the High-Pressure Phase Silicon VI // Phys. Rev. Lett. American Physical Society, – 1999. – Vol. 82, № 6. – P. 1197–1200.

    2.Duclos S.J. Yogesh K., Arthur L. Ruoff Experimental study of the crystal stability and equation of state of Si to 248 GPa // Phys. Rev. B. – 1990. – Vol. 41, № 17. – P. 12021–12028.

    3.Hu J.Z. Larry D., Carmen S. Menoni, L. Crystal data for high-pressure phases of silicon // Phys. Rev. B. – 1986. – Vol. 34, № 7. – P. 4679–4684.

    4.Olijnyk H., Sikka S.K., Holzapfel W.B. Structural phase transitions in Si and Ge under pressures up to 50 GPa // Phys. Lett. A. North-Holland, – 1984. – Vol. 103, № 3. – P. 137–140.

    5.Tikhomirova, G. V., Teben'Kov, A. V., Volkova, Y. Y., & Babushkin, A. N. (2012) //Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics, 2012, 76(3), 342-344.

    6.Melnikova N. V., Tebenkov A. V., Suhanova G. V., Ustinova I. S., et al. Pressure dependences of electroresistance, magnetoresistance, and the thermoelectromotive force in CuInSe2 and CuInS2 // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. – 2014. – Vol. 78, № 4. – P. 299–303.

Комментарии к статье

Авторизуйтесь, чтобы прокомментировать статью.